A01班大矢グループの東京大学大学院工学系研究科 電気系工学専攻の大学院生である遠藤達朗さんと、同専攻の小林正起准教授、Le Duc Anh准教授、関宗俊准教授、田畑仁教授、田中雅明教授らが、スピントランジスタの基本となる横型2端子スピンバルブ素子を単結晶酸化物を用いて作製し、従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比とゲート電圧による電流変調に成功しました。エピタキシャル単結晶でかつ高品質の「強磁性体と酸化物半導体の『界面』」を実現できたことにより、このような大きな磁気抵抗比が得られたものと考えられます。本成果は、Wileyの学術誌「Advanced Materials」に掲載されました。東京大学よりプレスリリースされました。

＜論文＞
T. Endo, S. Tsuruoka, Y. Tadano, S. Kaneta-Takada, Y. Seki, M. Kobayashi, L. D. Anh, M. Seki, H. Tabata, M. Tanaka, and S. Ohya, Giant spin-valve effect in planar spin devices using an artificially implemented nanolength Mott-insulator region, Adv. Mater. 35, 2300110 (2023).
URL: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202300110

＜プレスリリース＞
2022年5月31日，東京大学プレスリリース 「スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功 ―ナノスケール相転移技術の応用に向けた新たな可能性―」
https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2023-05-31-001